Ementa

Dispositivos semicondutores de potencia para aplicacao em media tensoes (GTO, MTO, IGCT, HVIGTB): caracteristicas de chaveamento e comando, mecanismos de falha, selecao e dispositivos; circuitos de ajuda a comutacao dissipativos, regenerativos e ressonantes; conversores com barramento CC e tensao de dois niveis: associacao serie de dispositivos; conversores com barramento CC de 3 niveis: asso ciacao serie de conversores; conversores de barramento CC em corrente.

Código da disciplina: EEE884

Tipo da atividade: optativa

Créditos mínimo: 4

Carga horária (horas):

Teórica	Prática	Total
60	0